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      當前位置:首頁   >  產品中心  >  紫外掩膜曝光系統  >  UV-KUB 3  >  UV-KUB 3UV-LED 的緊湊型掩膜對準系統

      UV-LED 的緊湊型掩膜對準系統

      簡要描述:UV-KUB 3 是一種基于掩膜對準系統的 UV-LED,具有 365nm 的可用光源。 這是一個非常緊湊的桌面系統,兼容 4 英寸晶圓和 100x100 mm² 工作表面。 由于特定的光學裝置可提供最大發散角小于 2° 的準直光束,因此可實現的最小特征尺寸為 2 µm。

      • 產品型號:UV-KUB 3
      • 廠商性質:代理商
      • 更新時間:2025-07-02
      • 訪  問  量:2274

      詳細介紹

      u非常緊湊實用的系統

      u 365nm 處*單色曝光

      u可處理 4 英寸晶圓

      u硬(物理)接觸或軟(接近)接觸模式

      u兼容所有光刻膠

      u分辨率:2µm

      u對準分辨率:< 3µm

      u PAD 引導

       

      UV-KUB 3 是一種基于掩對準系統的 UV-LED,具有 365nm 的可用光源。 這是一個非常緊湊的桌面系統,兼容 4 英寸晶圓和 100x100 mm2 工作表面。 由于特定的光學裝置可提供最大發散角小于 2° 的準直光束,因此可實現的最小特征尺寸為 2 µmUV-KUB 3 系統兼容硬(物理)接觸或軟(接近)接觸模式,并提供低至 3 µm 的對準分辨率。 該掩對準器系統支持所有標準光刻膠,例如 AZShipleySU-8 K-CL

      對準器UV-KUB 3是第一款配備UV-LED光源的掩對準系統,可在國際市場上提供一個好的的準直和均勻曝光。這款新一代掩對準器*由觸摸屏操作進行曝光,通過操縱板控制進行對準操作。由于其防塵罩,該設備*安全,是市場上wei 一使精密光刻而無需潔凈室類型環境的解決方案。

       

      技術突破:

      1、高質量準直器

      · 發散角小于2°,保證了在厚層上實現分辨率低至 1µm和邊緣垂直度極 jia的圖案。

      · 這種高質量的準直允許在不需要真空接觸模式的情況下達到微米級的分辨率。

      2LED技術

      ·完 mei的單色曝光光源

      ·冷紫外線源,防止不良熱效應

      ·可以在連續或脈沖模式下運行

      ·壽命長:uv-led光源不屬于消耗品

      3分辨率和對準精度

      ·這種新一代掩模對準器能夠在整4"6"工作表面上實現低于1µm的微結構對準精度小1 µm

       

      特征:

      ? 晶圓表面區域的完 mei單色曝光,帶寬低于 10 nm

      ? PAD 引導的視頻輔助定位系統

      ? 冷紫外線照射和基板環境的實時原位溫度控制,在整個表面上的均勻照射,因此消除了任何不良的熱效應

      ? *的功率密度

      ? LED 壽命長:受控實時使用時間超過 10 000 小時

      ? 用戶友好型觸摸屏界面,可設置曝光循環編程(連續或循環曝光)

      ? 無需預熱時間

      ? 紫外線源強度調節的計算機控制,很直觀

      ? 紫外線照射室*密封:保證用戶安全

      ? 自動晶圓裝載和卸載系統

      ? 低消耗

       

      工藝應用:

      UV-KUB 3 系統非常適合實驗室和研發團隊的廣泛應用,這些應用涉及光學、生物技術、微電子、需要多層掩膜、晶圓鍵合、簡單層或粘合劑固化、連接、組裝和生物或細胞培養的光刻工藝

       

      技術參數:

      分辨率

      1µm

      對準精度

      1µm

      發散角

      < 2°

      可編程周期數

      100

      曝光周期(連續或循環)

      1 秒到1小時

      接觸模式

      硬(物理)接觸或軟(接近)接觸模式

      可視化系統分辨率

      1,5µm

      θ襯底位移分辨率

      5.10-4°

      XYZ襯底位移分辨率

      0,4µm

       

      UV-LED光源:

      波長

      365 nm ± 5 nm

      均勻曝光

      +/-5%

      LED的壽命

      >10000小時

       

      工作處理表面:

      處理表面

      4" 6" 晶圓

      可接受的掩膜版尺寸

      4" 6" 版本分別高達 ? 5" ? 7"

      可接受的基材尺寸

      ? 2" - ? 4" - ? 6" 50 x 50mm - 100 x 100mm

      /基板測量距離分辨率

      0,5µm

      曝光期間的基板預熱

      < 1°C

      兼容光刻膠

      SU8ShipleyAZ ResistK-CL 抗蝕劑

       

      其他參數:

      ·尺寸475(L)x 480(W)x 515(H)毫米

      ·重量55千克/121

      ·彩色觸摸屏:15.6英寸

      ·功率密度:35 mW/cm2+/-10%

      ·電源:100 v/240 V-50 Hz/60 Hz

      ·功率180 W

      ·可與鍍鉻和柔性薄膜掩膜版兼容

       

       


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