快速退火爐系統SS

簡要描述：快速退火爐系統SSI是一個簡單穩定的熱處理系統，適合于廣泛大尺寸為直徑2~8英寸的基片材料和結構的快速熱低溫退火（RTA），（如電子級硅、鋼鐵、玻璃、單晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、鍺、超導體、陶瓷等等）。

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詳細介紹

美國RTP系列的快速退火爐溫度均勻度≤1%，處理的大尺寸可以達到200mm，溫度可以達到1200攝氏度，處理過程可以在真空環境或者惰性氣體的環境中執行，做多可支持4~6路進氣，可以用到的氣體包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。

- 處理時間：0.1秒至無*；

- 燈管數量及功率：13支，

- 腔體冷卻：風冷方式；

- 襯底冷卻：氮氣吹掃；

- 工藝氣路：MFC控制，多6路 (氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣等)；

應用領域：

快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA);

快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

硅化 (Silicidation);

擴散 (Diffusion);

化合物半導體退火 (Compound Semiconductor Annealing);

離子注入后退火 (Implant Annealing);

電極合金化 (Contact Alloying);

晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);

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