MC方案｜RIE / ICP干法蝕刻工藝案例

ICP / RIE蝕刻應(yīng)用范圍：

- Si，SiO2，SiN蝕刻工藝

- Al，Cr，Ti，TiW，Au，Mo等金屬蝕刻工藝

- 晶圓尺寸：一片，4英寸，6英寸晶圓

RIE 等離子刻蝕案例：

SiO2 / SiN蝕刻

80 sccm CF4，均勻性<5％，在6英寸晶圓上

幾種功率水平下的壓力與蝕刻速率（如下圖）：

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有模塊化腔室和電極配置，可滿(mǎn)足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制，多級(jí)程序控制和組件控制，操作簡(jiǎn)單。用于研究、工藝開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn)，可輕松集成到自動(dòng)化生產(chǎn)線和系統(tǒng)中。

 腔室/電極

PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的*功能。腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁，耐腐蝕。有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替托盤(pán)電極，用于小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形等離子體處理的籠式電極。

標(biāo)配圓柱形“桶”式電極

用于光刻膠剝離和各向同性刻蝕

RIE電極（可選配）

用于各向異性蝕刻的水冷電極

隔板電極（可選配）

用于各向同性蝕刻，標(biāo)配2塊電極

等離子體源

該系統(tǒng)可選配LF（KHz）或13.56（MHz）射頻電源以及自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò)。 

 真空泵系統(tǒng)

該系統(tǒng)配機(jī)械泵或帶羅茨鼓風(fēng)機(jī)的機(jī)械泵。根據(jù)所需的真空處理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蝕性泵油（惰性泵油），適用于氧氣或其他腐蝕性化學(xué)應(yīng)用。流量控制器（MFC）的氣體管路是標(biāo)配。下游壓力控制器是選配。

電腦控制

觸摸屏電腦控制，提供無(wú)線程序存儲(chǔ)，多步驟工藝簡(jiǎn)單易存，易于編程，實(shí)時(shí)顯示工藝條件。工藝處理可用條形碼讀取（選配）。

其中較典型的等離子處理工藝包括：

? 等離子預(yù)處理

? 光刻膠去膠

? 表面處理

? 各向異性和各向同性蝕刻

? 故障分析應(yīng)用

? 材料改性

? 封裝清洗

? 鈍化層刻蝕

? 聚酰胺刻蝕

? 促進(jìn)粘合

? 生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

? 聚合反應(yīng)

? 混合清洗

? 預(yù)鍵合清洗